Станция распределенного ввода-вывода SIMATIC ET 200S

Станция систем распределенного ввода-вывода со степенью защиты IP 20. Бит-модульная конструкция, позволяющая в максимальной степени адаптировать аппаратуру станции к решению поставленной задачи. Наличие интерфейсных модулей для подключения к сетям PROFINET и PROFIBUS DP. Широкий спектр модулей ввода-вывода дискретных и аналоговых сигналов, технологических и коммуникационных модулей, модулей преобразователей частоты и фидеров нагрузки. Работа в распределенных структурах, критичных к времени обработки информации. Встроенные шины питания электроники и силовые шины. Встроенная поддержка функций автоматики безопасности и противоаварийной защиты на базе компонентов SIGUARD или PROFIsafe. "Горячая" замена электронных и силовых модулей. Поддержка диагностики на уровне каналов ввода-вывода. Наличие интеллектуальных интерфейсных модулей, поддерживающих функции центральных процессоров. Наличие ложных модулей, позволяющих резервировать посадочные места для последующей установки электронных и технологических модулей. Наличие PROFIsafe компонентов, поддерживающих функции чтения, обработки и вывода данных систем противоаварийной защиты и автоматики безопасности через PROFIBUS DP по аналогии с выполнением подобных операций для стандартных компонентов ввода-вывода. Возможность использования в составе одной станции модулей стандартного исполнения и PROFIsafe модулей с передачей данных через одну и ту же линию связи PROFIBUS DP. Обеспечение до 4 категории безопасности по EN 954-1.

 

Товары группы 

 

Наименование	Артикул
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА EM 4DI HF, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BD01-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11314BD017AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА EM 8 DI ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BF00-0AA0	6AG11314BF007AA0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 8 DI =24В ДЛЯ ET 200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7131-4BF50-0AA0	6AG11314BF507AA0
SIPLUS DP МОДУЛЬ ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДОВ 2DO HF ДЛЯ ET200S МОДУЛЬ РАСШИРЕНИЯ, РАБ. ТЕМП. -25...+60 ГРАД. ЦЕЛЬС. НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BB01-0AB0	6AG11324BB012AB0
SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА 2DO HF ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7132-4BB31-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11324BB317AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 4DO STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7132-4BD02-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11324BD027AA0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 4 DO =24В/2А ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BD32-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11324BD322AA0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА EM 8 DO ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BF00-0AA0	6AG11324BF007AA0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 8 DO =24В/0,5A ДЛЯ ET 200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4BF50-0AA0	6AG11324BF507AA0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ РЕЛЕЙНОГО ВЫВОДА EM 2 RO =24В-AC23 ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB01-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11324HB012AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ РЕЛЕЙНОГО ВЫВОДА EM 2 DO RLY =24…48В ~230В/5А ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB10-0AB0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11324HB102AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 2DO RLY =24-48 В ~230 В/5A, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25 ... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7132-4HB12-0AB0, 5 ШТ. В УПАКОВКЕ, =24В-48В/5A, ~24В-230В/5A, ШИРИНА 15 ММ, FIRST-UP СИГНАЛ	6AG11324HB122AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI STANDARD U ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ ES7134-4FB01-0AB0	6AG11344FB012AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI STANDARD I ДЛЯ ET200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GB01-0AB0	6AG11344GB012AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI I-4DMU ДЛЯ ET200S, 4Х-ПРОВОДНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GB11-0AB0	6AG11344GB112AB0
SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА 2AI HIGH SPEEDДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GB52-0AB2	6AG11344GB522AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 4 AI I 2WIRE ДЛЯ ET 200S, 4 ТОКОВЫХ ВХОДА С ДВУХПРОВОДНЫМ ПОДКЛЮЧЕНИЕМ, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4GD00-0AB0	6AG11344GD002AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ EM 4 AI RTD ДЛЯ ET 200S, 2 ВХОДА ТЕРМОСОПРОТИВЛЕНИЯ, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7134-4JB51-0AB0	6AG11344JB517AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2 AO I HF, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ 6ES7134-4MB02-0AB0. ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ, ШИРИНА 15 ММ, ВРЕМЯ ЦИКЛА НА МОДУЛЬ: 0.5МС, +/-20MA; 15 БИТ + ЗНАК, 4 .. 20MA; 15 Б	6AG11344MB022AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2AI TC HF, ДИАПАЗОН РАБ. ТЕМП. 0 ... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7134-4NB01-0AB0. 15 MM ШИРИНА, 15 БИТ + ЗНАК С ВНУТР. ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ TEMERATURE COMPENSATION	6AG11344NB017AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА EM 2AI RTD HF ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7134-4NB51-0AB0	6AG11344NB512AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВЫВОДА EM 2AO U ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7135-4FB01-0AB0	6AG11354FB012AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВЫВОДА EM 2AO I STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7135-4GB01-0AB0	6AG11354GB012AB0
SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА 2AO U HIGH FEATURE, РАБ. ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7135-4LB02-0AB0	6AG11354LB027AB0
SIPLUS ET200S МОДУЛЬ ПИТАНИЯ PM-E 24В-48В РАБ ТЕМП. -25...+60 ГРАД. ЦЕЛЬС. НА ОСНОВЕ 6ES7138-4CA50-0AB0	6AG11384CA502AB0
SIPLUS DP PM-E =24…48В/ ~24…230В: МОДУЛЬ КОНТРОЛЯ ПИТАНИЯ ВНЕШНИХ ЦЕПЕЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ГРУППЫ ET 200S С ЭЛЕКТРОННЫМИ МОДУЛЯМИ; С ДИАГНОСТИКОЙ И БУФЕРИЗАЦИЕЙ, ТЕМП. ДИАПАЗОН ОТ -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА БАЗЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4CB11-0AB0	6AG11384CB112AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ СЧЁТА EM 1COUNT 24V/100 ДЛЯ ET200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4DA04-0AB0	6AG11384DA042AB0
SIPLUS ET200S EM 2 PULSE -25 ... +70 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7138-4DD01-0AB0 . ELECTRONIC MODULE 2 PULSE PULSEGENERATOR AND TIMER MODULE, 15 MM WIDE, 2 CHANNELS	6AG11384DD017AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ИНТЕРФЕЙСА EM 1SI, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4DF01-0AB0	6AG11384DF017AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 1SI RS232/422 ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ 6ES7138-4DF11-0AB0. ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕЙС, 15ММ ШИРИНОЙ, RS232/422, 485 MODBUS/USS	6AG11384DF117AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ F-МОДУЛЬ F-DI 24V PROFISAFE ДЛЯ ET 200S, 2 ДИСКРЕТНЫХ F-ВХОДА =24В, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4FA04-0AB0	6AG11384FA042AB0
SIPLUS ET200S, ЭЛЕКТРОННЫЙ F-МОДУЛЬ F-DO 24V PROFISAFE ДЛЯ ET 200S, 2 ДИСКРЕТНЫХ F-ВЫХОДА =24В, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4FB03-0AB0	6AG11384FB032AB0
SIPLUS ET200S, МОДУЛЬ DP-МАСТЕР IM151-7, РАБ. ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7138-4HA00-0AB0	6AG11384HA007AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-1 STANDARD ДЛЯ ET 200S, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-1AA05-0AB0	6AG11511AA057AB0
SIPLUS DP ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-1HF ДЛЯ ET200S РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25...+60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-1BA02-0AB0	6AG11511BA022AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-3 PROFINET ДЛЯ ET200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-3AA20-0AB0	6AG11513AA222AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-3 ST ДЛЯ ET 200S, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-3AA23-0AB0	6AG11513AA232AB0
SIPLUS ET200S, IM151-3 PN HF, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7151-3BA23-0AB0. ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ, ПЕРЕДАЧА ДАННЫХ ДО 100МБИТ/С, МАКС ДО 63 ПЕРИФЕРИЙНЫХ МОДУЛЕЙ, ДО 2 М ШИРИНА СТАНЦИИ; 2 X ШИНН	6AG11513BA237AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-7 CPU, РАБ. ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-7AA20-0AB0	6AG11517AA207AB0
SIPLUS DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-7 F-CPU ДЛЯ ET200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАД.ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7151-7FA20-0AB2	6AG11517FA202AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-8 PN/DP CPU ДЛЯ ET 200S, ДЛЯ ТЯЖЁЛЫХ УСЛОВИЙ ПРИМЕНЕНИЙ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7151-8AB00-0AB0	6AG11518AB004AB0
SIPLUS ET200S, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-8 PN/DP CPU, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7151-8AB00-0AB0	6AG11518AB007AB0
SIPLUS ET200S IM151-8 PN/DP CPU -25... +70 ГРАД. С, C CONФОРМАAL COATING BASED ON 6ES7151-8AB01-0AB0 . 192 KB WORKING MEMORY, INT. PROFINET INTERFACE (C THREE RJ45 PORTS) AS IO-CONTROLER, БЕЗ BATTERY MMC REQUIКРАСН.ОДИМА MMC	6AG11518AB017AB0
SIPLUS ET200S IM151-8F PN/DP -25 ... +60 DEGREES C WITH CONFORMAL COATING BASED ON 6ES7151-8FB01-0AB0 . CPU FOR ET200S, 256 KB WORKING MEMORY, INT. PROFINET INTERFACE (WITH THREE RJ45 PORTS) AS IO-CONTROLLER, W/O BATTERY MMC REQUIRED	6AG11518FB012AB0
SIPLUS ET200S ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E15S26-A1 ДЛЯ ET 200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7193-4CA40-0AA0 5 PIECES PER PACKAGING UNIT	6AG11934CA402AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E15C23-0, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40...+70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7193-4CB10-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11934CB107AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E15C24-01 ДЛЯ ET 200S, (1PU, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7193-4CB30-0AA0	6AG11934CB302AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E15N24-0, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40...+70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7193-4CB70-0AA0, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6AG11934CB707AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-P15S23-A0 ДЛЯ ET 200S, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7193-4CD20-0AA0	6AG11934CD202AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ БЛОК TM-P15C22-01ДЛЯ ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ БЛОКА 6ES7193-4CE10-0AA0	6AG11934CE102AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E30C46-A1, ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -40...+70 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7193-4CF50-0AA0	6AG11934CF507AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E15C24-AT, ДИАПАЗОН РАБ. ТЕМП. 0 ... +70 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, С КОНФОРМНЫМ ПОКРЫТИЕМ, НА ОСНОВЕ 6ES7193-4CL30-0AA0. ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ 2 AI TC HF, ШИРИНА 15MM, С ПОДПРУЖИНЕННЫМИ КОНТАКТАМИ, ДОСТУП К AUX1, ВВОД AUX1	6AG11934CL307AA0
SIPLUS DP ET200S ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ, РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА -25... +60 ГРАД. ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ 6ES7193-4JA00-0AA0	6AG11934JA002AA0
SIPLUS ET200S, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ TM-E15C24-AT ДЛЯ SIPLUS ET 200S, РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР -25... +60 ГРАДУСОВ ЦЕЛЬСИЯ, НА ОСНОВЕ МОДУЛЯ 6ES7193-4CL30-0AA1	6AG12022BH002BA3
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DI STANDARD, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА, СТАНДАРТНЫЙ =24В, 15 MM ШИРИНА, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71314BB010AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DI HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, =24В, 15 MM ШИРИНОЙ, С НАСТРОЙКОЙ ВХОДНОЙ ЗАДЕРЖКИ, ДИАГНОСТИКОЙ КЗ И СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT),	6ES71314BB010AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 4 DI STANDARD, 4 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА, СТАНДАРТНЫЙ =24В, 15 MM ШИРИНА, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71314BD010AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 4 DI HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 4 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, =24В, 15 MM ШИРИНОЙ, С НАСТРОЙКОЙ ВХОДНОЙ ЗАДЕРЖКИ, ДИАГНОСТИКОЙ КЗ И СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT),	6ES71314BD010AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 4 DI, 4 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА-ИСТОЧНИКА =24В, 15 MM ШИРИНОЙ, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71314BD510AA0
SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА ДЛЯ ET 200S, 8 DI =24В, 15 MM ШИРИНА, 1 ШТУКА В УПАКОВКЕ	6ES71314BF000AA0
SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА ДЛЯ ET 200S, 8 DI, =24В, 15 MM ШИРИНОЙ, 1 ШТУКА В УПАКОВКЕ	6ES71314BF500AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ET 200S: 4DI ~/= 24В...48В, 15 ММ ШИРИНА, СО СВЕТОДИОДОМ ОШИБКИ SF (ГРУППОВАЯ ОШИБКА), 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71314CD020AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА ~120В, ШИРИНА 15MM, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71314EB000AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА ~230В, ШИРИНА 15MM, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71314FB000AB0
SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S: 4DI =24 В NAMUR, 15 ММ ШИРИНА, СО СВЕОДИОДОМ ОШИБКИ (ГРУППОВАЯ ОШИБКА),	6ES71314RD020AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET200ISP, 8 ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА NAMUR	6ES71317RF000AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DO STANDARD, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДА СТАНДАРТНЫХ, =24В/0,5A, 15 MM ШИРИНОЙ, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71324BB010AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DO HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, =24В, 15 MM ШИРИНА, ДИАГНОСТИКА КЗ И ОБРЫВА ЛИНИИ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT), УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71324BB010AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DO STANDARD, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДА СТАНДАРТНЫХ, =24В/2A, 15 MM ШИРИНОЙ, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71324BB310AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DO HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 2 ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, =24В/2А, 15 MM ШИРИНА, ДИАГНОСТИКА КЗ И ОБРЫВА ЛИНИИ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT), УПАКОВКА ИЗ 5 ШТ	6ES71324BB310AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 4 DO HIGH FEATURE =24 В/0.5A, ШИРИНА 15 MM, ДИАГНОСТИКА К.З., СВЕТОДИОД СИСТЕМНОЙ ОШИБКИ, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324BD000AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ВЫВОДА ДЛЯ ET 200S, 4 DO STANDARD, =24V/0.5A, ШИРИНА 15 MM, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324BD020AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 4 DO HIGH FEATURE =24 В/2A, ШИРИНА 15 MM, ДИАГНОСТИКА К.З., СВЕТОДИОД СИСТЕМНОЙ ОШИБКИ, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324BD300AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА ДЛЯ ET 200S, 4 DO STANDARD, =24В/2A, 15 MM ШИРИНОЙ, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324BD320AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА ДЛЯ ET 200S, 4 DO SINK, =24В/0,5A, 15 MM ШИРИНОЙ, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324BD500AA0
SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА ДЛЯ ET 200S, 8 DO =24В/0,5A, 15 MM ШИРИНА, 1 ШТУКА В УПАКОВКЕ	6ES71324BF000AA0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 8 DO HIGH FEATURE =24 В/0.5A, ШИРИНА 15 MM, ДИАГНОСТИКА К.З., СВЕТОДИОД СИСТЕМНОЙ ОШИБКИ, 1 ШТУКА В УПАКОВКЕ	6ES71324BF000AB0
SIMATIC DP, 1 ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА ДЛЯ ET 200S, 8 DO SINK, =24В/0,5A, 15 MM ШИРИНОЙ, 1 ШТУКА В УПАКОВКЕ	6ES71324BF500AA0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА ДЛЯ ET 200S, 2 DO ~24...230В, 15 MM ШИРИНА, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324FB010AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 2 DO RELAY, 2 РЕЛЕЙНЫХ ВЫХОДА 24V DC - 230V AC/5A,15 MM ШИРИНА, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT), УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71324HB010AB0
SIMATIC DP, 5 ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ ET200S: 2DO РЕЛЕ(FORM C CONT.) =24В-48В/5A, ~24В-230В/5A, 15 ММ ШИРИНОЙ, СИГНАЛ FIRST-UP, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71324HB120AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ РЕЛЕЙНОГО ВЫВОДА ДЛЯ ET200S: 2DO RELAY(FORM C CONT.), =24В-48В/5A, ~24В-230В/5A, 15 MM WIDTH, FIRST-UP SIGNAL, С РУЧНЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ/ОТКЛЮЧЕНИЕМ	6ES71324HB500AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AI STANDARD, 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВХОДА (НАПРЯЖЕНИЕ), 15 MM ШИРИНА, +/-10В; 13 БИТ + ЗНАК, +/-5 В; 12 БИТ+ ЗНАК, 1..5В; 12БИТ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 65 МС НА КАНАЛ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT)	6ES71344FB010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ СКОРОСТНОГО АНАЛОГОВОГО ВВОДА (НАПРЯЖЕНИЕ) ДЛЯ ET 200S, 2 AI HIGH SPEED U, 15 БИТ, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА МОДУЛЯ 0.1МС, С ДМАГНОСТИЧЕСКИМ СВЕТОДИОДОМ (ОШИБКА ГРУППЫ)	6ES71344FB520AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AI STAND. I-2DMU 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВХОДА (ТОК), 15 MM ШИРИНА, 4 .. 20MA; 13 БИТ, ДЛЯ 2-ПРОВОДНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 65 МС НА КАНАЛ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT)	6ES71344GB010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AI STAND. I-4DMU, 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВХОДА (ТОК), 15 MM ШИРИНА, +/-20MA; 13 БИТ + ЗНАК,4 .. 20MA; 12 БИТ, ДЛЯ 2-ПРОВОДНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 65 МС НА КАНАЛ, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAU	6ES71344GB110AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА ДЛЯ ET200S: 2AI HS I-2WIRE, ДВА СКОРОСТНЫХ ВХОДА ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТОКА ПО 2Х-ПРОВОДНОЙ СХЕМЕ, 0 - 20MA, 4 - 20MA, 15БИТ, 15 MM ШИРИНА, ВРЕМЯ ЦИКЛА МОДУЛЯ: 0.1МС, СВЕТОДИОД SF (ОШИБКА ГРУППЫ)	6ES71344GB520AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ СКОРОСТНОГО АНАЛОГОВОГО ВВОДА (ТОК, 4-ХПРОВОДНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ) ДЛЯ ET 200S: 2AI HIGH SPEED I-4WIRE 4 - 20MA, 16 БИТ, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА МОДУЛЯ 0.1МС, С ДМАГНОСТИЧЕСКИМ СВЕТОДИОДОМ (ОШИБКА ГРУППЫ)	6ES71344GB620AB0
SIMATIC DP, ET200S ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ, 4AI СТАНДАРТНОЕ 2-ПРОВОДНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, 4 - 20MA; 13 БИТ, ШИРИНА 15MM, ДЛЯ 2ПРОВОДНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 40 МС, МОДУЛЬ СО СВЕТОДИОДОМ SF (ОШИБКА ГРУППЫ)	6ES71344GD000AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ТЕРМОПАР ДЛЯ ET 200S, 2 AI TC STANDARD, ШИРИНА 15 MM, 15 БИТ + ЗНАК +/-80МВ; ЛИНЕАРИЗАЦИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ДЛЯ ТЕРМОПАР: B, E, J, K, L, N, R, S, T ТИПА, ВРЕМЯ ЦИКЛА 65 МС/КАНАЛ, СО СВЕТОДИОДОМ СИСТЕМНОЙ ОШИБКИ SF (ОШИБКА ГРУППЫ	6ES71344JB010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ТЕРМОСОПРОТИВЛЕНИЙ ДЛЯ ET 200S, 2 AI RTD STANDARD, ШИРИНА 15 MM, 15 БИТ + ЗНАК; PT100 СТАНД.; PT100 КЛИМ.; NI100 СТАНД.; NI100 КЛИМ.; 150 ОМ; 300 ОМ; 600 ОМ, ВРЕМЯ ЦИКЛА 110 МС/КАНАЛ, СО СВЕТОДИОДОМ СИСТЕМНОЙ ОШИБКИ SF (ОШИБ	6ES71344JB510AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 4 AI TC, 4 КАНАЛА ТЕРМОПАР +/-80МВ; ШИРИНА 15 ММ, 15 БИТ + ЗНАК, СО СВЕТОДИОДОМ СИСТЕМНОЙ ОШИБКИ SF (ГРУППОВАЯ ОШИБКА)	6ES71344JD000AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2 AI U HIGH FEATURE ДЛЯ ET 200S, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА НА МОДУЛЬ: 0.5MС, +/-10В; 15 БИТ + ЗНАК, +/-5В;15БИТ+ЗНАК, 1..5В; 15БИТ, РАБОЧИЕ ПРЕДЕЛЫ +/-0.1% СО СВЕТОДИОДОМ SF (ОШИБКИ ГРУППЫ)	6ES71344LB020AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2 AI I HIGH FEATURE ДЛЯ ET 200S, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА НА МОДУЛЬ: 0.5MС, +/-20МА; 15 БИТ + ЗНАК, 4..20МА, 15БИТ, РАБОЧИЕ ПРЕДЕЛЫ +/-0.1% СО СВЕТОДИОДОМ SF (ОШИБКИ ГРУППЫ)	6ES71344MB020AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET200S, 2 АНАЛОГОВЫХ ВХОДА С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ТЕРМОПАР, 15 БИТ + ЗНАКОВЫЙ РАЗРЯД, С ВНУТРЕННЕЙ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, ШИРИНА МОДУЛЯ 15MM	6ES71344NB010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S: 2AI RTD HIGH FEATURE - УЛУЧШЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, 2 ВХОДА ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ТЕРМОПАР, С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, 15 ММ ШИРИНА, 15БИТ + ЗНАК, ТОЧНОСТЬ +/- 0.1%, ДЛЯ 2-/3-/-4- ПРОВОДНЫХ ДАТЧИКОВ, С ВНУТРЕННЕЙ	6ES71344NB510AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AO U, 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВХОДА (НАПРЯЖЕНИЕ), 15 ММ ШИРИНА, +/-10 V; 13 БИТ + ЗНАК, 1..5V; 12БИТ, ВРЕМЯ ЦИКЛА < 1 MS, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT)	6ES71354FB010AB0
"SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ АНАЛОГОВОГО ВВОДА ДЛЯ ET200S, 2 AO U HS, ДВА СКОРОСТНЫХ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ ВЫХОДА, 15 MM ШИРИНА, +/-10В, +/-5В, 1.. 5В; 16БИТ, ВРЕМЯ ЦИКЛА: 0.1 МС, СВЕТОДИОД SF (ОШИБКА ГРУППЫ)"	6ES71354FB520AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 AO I, 2 СТАНДАРТНЫХ АНАЛОГОВЫХ ВЫХОДА (ТОК) 15 ММ ШИРИНА, +/-20 MA; 13 БИТ + ЗНАК, 4 . .20 MA; 12 БИТ ВРЕМЯ ЦИКЛА < 1 MS, СВЕТОДИОД ОШИБКИ ГРУППЫ (GROUP FAULT)	6ES71354GB010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ СКОРОСТНОГО АНАЛОГОВОГО ВЫВОДА (ТОК) ДЛЯ ET 200S: 2AO HIGH SPEED +/-20 МА, 4 - 20MA, 16 БИТ, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА 0.1МС, С ДМАГНОСТИЧЕСКИМ СВЕТОДИОДОМ (ОШИБКА ГРУППЫ)	6ES71354GB520AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2 AO U HIGH FEATURE ДЛЯ ET 200S, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА НА МОДУЛЬ: 0.5MС, +/-10В; 15 БИТ + ЗНАК, 1..5В; 15БИТ, РАБОЧИЕ ПРЕДЕЛЫ +/-0.07% СО СВЕТОДИОДОМ SF (ОШИБКИ ГРУППЫ)	6ES71354LB020AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 2 AO I HIGH FEATURE ДЛЯ ET 200S, ШИРИНА 15 MM, ВРЕМЯ ЦИКЛА НА МОДУЛЬ: 0.5MС, +/-20МА; 15 БИТ + ЗНАК, 4..20МА, 15БИТ, РАБОЧИЕ ПРЕДЕЛЫ +/-0.05% СО СВЕТОДИОДОМ SF (ОШИБКИ ГРУППЫ)	6ES71354MB020AB0
SIMATIC DP, 5 РЕЗЕРВИРУЮЩИХ МОДУЛЕЙ ДЛЯ ET 200S, 15 ММ ШИРИНА, ДЛЯ ЗАНЯТИЯ НЕИСПОЛЬЗУЕМЫХ РАЗЪЕМОВ, УПАКОВКА ИЗ 5 ШТУК	6ES71384AA010AA0
SIMATIC DP, 1 РЕЗЕРВИРУЮЩИЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 30 ММ ШИРИНА, ДЛЯ ЗАНЯТИЯ НЕИСПОЛЬЗУЕМЫХ РАЗЪЕМОВ	6ES71384AA110AA0
SIMATIC DP, СИЛОВОЙ МОДУЛЬ PM-E FOR ДЛЯ ET 200S; =24 DC С ДИАГНОСТИКОЙ	6ES71384CA010AA0
SIMATIC DP, МОДУЛЬ ПИТАНИЯ PM-E ДЛЯ ET 200S; =24В С ДИАГНОСТИКОЙ, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71384CA011AA0
SIMATIC DP, PM-E =24…48В, МОДУЛЬ КОНТРОЛЯ ПИТАНИЯ ВНЕШНИХ ЦЕПЕЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ГРУППЫ ET 200S С ЭЛЕКТРОННЫМИ МОДУЛЯМИ; С ДИАГНОСТИКОЙ	6ES71384CA500AB0
SIMATIC DP, МОДУЛЬ ПИТАНИЯ PM-E ДЛЯ ET 200S; =24-48В С ДИАГНОСТИКОЙ, 5 ШТУК В УПАКОВКЕ	6ES71384CA501AB0
SIMATIC DP, СИЛОВОЙ МОДУЛЬ PM-E HIGH FEATURE ДЛЯ ET 200S; =24 В С ДИАГНОСТИКОЙ	6ES71384CA600AB0
SIMATIC DP, СИЛОВОЙ МОДУЛЬ PM-E RO ДЛЯ ET 200S; =24 В С ДИАГНОСТИКОЙ	6ES71384CA800AB0
SIMATIC DP, МОДУЛЬ ПИТАНИЯ PM-E ДЛЯ ET200S; =24 - 48В, ~24 - 230В, С ДИАГНОСТИКОЙ И РЕЗЕРВОМ	6ES71384CB110AB0
SIMATIC DP, СИЛОВОЙ МОДУЛЬ PM-E F PROFISAFE, ДЛЯ ET 200S; =24В, ПРИГОДЕН ДЛЯ УСТАНОВОК С НЕЗАЗЕМЛЁННЫМ ОПОРНЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ, ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ШИН ПИТАНИЯ P1 И P2 ДО CAT. 3/ SIL 2 И 2 FAIL-SAFE ДИСКРЕТНЫХ ВЫХ. ДО CAT. 4/ SIL 3,	6ES71384CF030AB0
SIMATIC DP, СИЛОВОЙ МОДУЛЬ PM-E F PROFISAFE, ДЛЯ ET 200S; =24В, ПРИГОДЕН ДЛЯ УСТАНОВОК С ЗАЗЕМЛЁННЫМ ОПОРНЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ, ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ШИН ПИТАНИЯ P2 ДО CATEGORY 3 (EN954-1)/ SIL 2 (IEC61508) ТАКЖЕ РАБОТАЕТ В СЕТЯХ PROFINET	6ES71384CF420AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 СЧЕТЧИК 24В/100КГЦ, 15 ММ ШИРИНА, РЕЖИМЫ РАБОТЫ: СЧЕТ, ИЗМЕРЕНИЕ ПЕРИОДА, С СИНХРОНИЗАЦИЕЙ ЧАСОВ	6ES71384DA040AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 SSI 25БИТ/1МГЦ, 15MM ШИРИНА, МОДУЛЬ ПОДКЛЮЧЕНИЯ АБС. ЭНКОДЕРОВ И ИНТЕРФЕЙСОМ SSI, ИНТЕРФЕЙС SSI С DI И СРАВН. ЗНАЧ., ЦИКЛИЧЕСКАЯ СИНХРОНИЗАЦИЯ ПО ВРЕМЕНИ	6ES71384DB030AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 STEP 5В/204КГЦ ДЛЯ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ШАГОВЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ, 15 ММ ШИРИНОЙ, ОДНОКАНАЛЬНЫЙ, +/-5В ИНТЕРФЕЙС ДЛЯ СИЛОВОЙ СЕКЦИИ	6ES71384DC010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 2 PULSE, МОДУЛЬ ИМПУЛЬСНОГО ГЕНЕРАТОРА И ТАЙМЕРА, 15 ММ ШИРИНОЙ, 2Х-КАНАЛЬНЫЙ	6ES71384DD010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 СЧЕТЧИК 5В/500KГЦ ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ИНКРЕМЕНТАЛЬНЫХ ЭНКОДЕРОВ С ИНТЕРФЕЙСОМ RS422, РЕЖИМЫ РАБОТЫ: СЧЕТ, ИЗМЕРЕНИЕ ПЕРИОДА, 30MM ШИРИНА, ОДНОКАНАЛЬНЫЙ С СИНХРОНИЗАЦИЕЙ ЧАСОВ	6ES71384DE020AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 SI ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ОДНОКАНАЛЬНЫЙ, 15MM ШИРИНА, RS232/422, 485 ASCII, 3964R	6ES71384DF010AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 SI ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ОДНОКАНАЛЬНЫЙ, 15MM ШИРИНА, RS232/422, 485 MODBUS/USS	6ES71384DF110AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 1 POS U, МОДУЛЬ КОНТРОЛЯ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ С ЦИФРОВЫМИ ВЫХОДАМИ ДЛЯ 5В/24В ИНКРЕМЕНТАЛЬНЫХ ЭНКОДЕРОВ, SSI-ЭНКОДЕРОВ, 30MM ШИРИНА	6ES71384DL000AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ F-МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВВОДА ПОВЫШЕНОЙ БЕЗОПАСНОСТИ ДЛЯ ET200S, 4/8 F-DI PROFISAFE, =24В, 30 MM ШИРИНЫ ДО КАТЕГОРИИ CATEGORY 4 (EN954-1)/ SIL3 (62061) ТАКЖЕ РАБОТАЕТ В СЕТЯХ PROFINET C IM151-3 HF	6ES71384FA040AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ F-МОДУЛЬ ДИСКРЕТНОГО ВЫВОДА ПОВЫШЕНОЙ БЕЗОПАСНОСТИ ДЛЯ ET200S, 4 F-DO PROFISAFE, =24В/2А, 30 MM ШИРИНЫ ДО КАТЕГОРИИ CATEGORY 4 (EN954-1)/ SIL3 (62061) ТАКЖЕ РАБОТАЕТ В СЕТЯХ PROFINET C IM151-3 HF	6ES71384FB030AB0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ПОВЫШЕННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ ДЛЯ ET200S, 4 F-DI/3 F-DO =24В/2A PROFISAFE, 30 MM ШИРИНОЙ, ВПЛОТЬ ДО КАТЕГОРИИ 3 (EN954-1)/ SIL2 (62061), ПРИГОДЕН ДЛЯ РАБОТЫ В СЕТЯХ PROFINET С IM151-3 HF	6ES71384FC010AB0
SIMATIC-DP, МОДУЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛОВ, 4POTDIS ДЛЯ ET 200S, ШИРИНА 15MM	6ES71384FD000AA0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ET200S, ШИРИНА 30 MM, 1 РЕЛЕЙНЫЙ ВЫХОД (2 НО-КОНТАКТА), ВЫХОДНОЙ ТОК 5 А, НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ =24В И ~24 ... 230В, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ВПЛОТЬ ДО КАТЕГОРИИ 4 / SIL 3, ЕСЛИ УПРАВЛЯЕТСЯ F-DO (НАПРИМЕР 6ES7138-4FB02-0AB0)	6ES71384FR000AA0
SIMATIC DP, ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ET 200S, 4SI IO-LINK, 4 ИНТЕРФЕЙСА ТОЧКА-К-ТОЧКЕ, ШИРИНА 15MM, IO-LINK МАСТЕР	6ES71384GA500AB0
SIMATIC DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ ВЕДУЩЕГО УСТРОЙСТВА PROFIBUS-DP ДЛЯ ET 200S: ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ, ПОЗВОЛЯЮЩИЙ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ET 200S С IM 151-7 CPU (6ES7151-7AA10-0AA0) В КАЧЕСТВЕ ВЕДУЩЕГО УСТРОЙСТВА PROFIBUS-DP; RS 485, ДО 12 МБИТ/С, 9-ПОЛЮСНОЕ ГНЕЗДО СО	6ES71384HA000AB0
SIMATIC DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-1 STANDARD ДЛЯ ET200S; ВКЛЮЧАЯ ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ, ОБЪЕМ ДАННЫХ 244БАЙТА НА КАЖД. ВХ. И ВЫХ.; МАКС. 63 ПЕРИФЕРИЙНЫХ МОДУЛЯ, PROFIBUS DP V0 И V1, СТАНЦИЯ ДО 2 М ШИРИНОЙ, ПОДКЛЮЧЕНИЕ К ШИНЕ Ч/З ИНТЕРФЕЙС SUB-D 9-ШТЫРЬК	6ES71511AA050AB0
SIMATIC DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-1 FO ДЛЯ ET200S; СТЕПЕНЬ ПЕРЕДАЧИ ДО 12МБИТ/С; ОБЪЁМ ДАННЫХ 244 БАЙТА ДЛЯ ВХ./ВЫХ.; МАКС. 63 СИЛОВЫХ, ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЯ ИЛИ МОДУЛЯ ПУСКАТЕЛЯ, MODULES CONNECTABLE; ПОДКЛЮЧЕНИЕ К ШИНЕ ЧЕРЕЗ ВСТРОЕННЫЙ FO-ИНТЕРФЕЙС, ТЕ	6ES71511AB050AB0
SIMATIC DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-1 HIGH FEATURE ДЛЯ ET200S; СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДО 12МБИТ/С, ОБЪЁМ ДАННЫХ 244 БАЙТА ДЛЯ I/O, МАКС. 63 МОДУЛЯ, ИЗОХРОННЫЙ РЕЖИМ, ПОДКЛЮЧЕНИЕ К ШИНЕ ЧЕРЕЗ SUB-D СОЕДИНИТЕЛЬ С 9 КОНТАКТАМИ, ВКЛЮЧАЯ ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ	6ES71511BA020AB0
SIMATIC DP, IM151-1 BASIC, ИНТЕРФ. МОДУЛЬ ДЛЯ ET200S: RS 485, DP V0, ДО 12МБИТ/С; 88 БАЙТ НА ВВОД, 88 БАЙТ НА ВЫВОД; ДО 12 МОДУЛЕЙ НА СТАНЦИЮ (КРОМЕ F-МОДУЛЕЙ); 9-ПОЛЮСНОЕ ГНЕЗДО СОЕДИНИТЕЛЯ D-ТИПА; С ТЕРМ. ЭЛЕМЕНТОМ ВНУТР. ШИНЫ СТАНЦИИ	6ES71511CA000AB0
ET 200S COMPACT, СТАНЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕННОГО ВВОДА-ВЫВОДА ET 200S COMPACT, 32 СТАНДАРТНЫХ ДИСКРЕТНЫХ ВХОДА, =24В, 3МС, РАСШИРЯЕМАЯ - ДО 12 МОДУЛЕЙ ET 200S (КРОМЕ F-MODULES), ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК	6ES71511CA001BL0
ET 200S COMPACT, СТАНЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕННОГО ВВОДА-ВЫВОДА ET 200S COMPACT, 16 СТАНДАРТНЫХ ДИСКРЕТНЫХ ВХОДОВ, =24В, 16 СТАНДАРТНЫХ ДИСКРЕТНЫХ ВЫХОДОВ, =24В, 0,5 А, 3МС, РАСШИРЯЕМАЯ - ДО 12 МОДУЛЕЙ ET 200S (КРОМЕ F-MODULES), ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК	6ES71511CA003BL0
SIMATIC DP,ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-3 PN ST ДЛЯ ET200S; СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДО 100МБИТ/С, МАКС. 63 ПИТАЮЩИХХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ ИЛИ МОДУЛЕЙ ПУСКАТЕЛЕЙ, ДО 2 МЕТРОВ ОБЩАЯ ДЛИНА, 2X ИНТЕРФЕЙСА RJ45, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ В КОМПЛЕКТЕ INCL. TERMINATING MODUL	6ES71513AA230AB0
SIMATIC DP,ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-3 PN HF ДЛЯ ET200S; СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДО 100МБИТ/С, МАКС. 63 ПИТАЮЩИХХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ ИЛИ МОДУЛЕЙ ПУСКАТЕЛЕЙ, ДО 2 МЕТРОВ ОБЩАЯ ДЛИНА, 2X ИНТЕРФЕЙСА RJ45, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ В КОМПЛЕКТЕ INCL. TERMINATING MODUL	6ES71513BA230AB0
SIMATIC DP,ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ IM151-3 PN HS ДЛЯ ET200S; СКОРОСТЬ ПЕРЕДАЧИ ДО 100МБИТ/С, МАКС. 32 ПИТАЮЩИХХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ ИЛИ МОДУЛЕЙ ПУСКАТЕЛЕЙ, ДО 2 МЕТРОВ ОБЩАЯ ДЛИНА, 2X ИНТЕРФЕЙСА RJ45, ТЕРМИНАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ В КОМПЛЕКТЕ INCL. TERMINATING MODUL	6ES71513BA600AB0
SIMATIC DP, INTERFACE MODULE IM151-3 PN FO FOR ET 200S 2 PROFINET FO INTERFACES INTEGRATED 2-PORT SWITCH MAX. OF 63 PERIPHERAL MODULES USABLE FOR PROFISAFE MODULES MAX. 2M STATION WIDTH INCL. TERMINATING MODULE	6ES71513BB230AB0
SIMATIC DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ СО ВСТРОЕННЫМ ЦПУ IM151-7 CPU ДЛЯ ET200S, 96 KB РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ВСТРОЕННЫЙ ИНТЕРФЕЙС IPROFIBUS DP, (9-ПОЛЮСНАЯ РОЗЕТКА SUB-D), DP-SLAVE, БЕЗБАТАРЕЙНАЯ РАБОТА	6ES71517AA200AB0
SIMATIC DP, IM 151-7 CPU FO, ИНТЕРФ. МОДУЛЬ ДЛЯ ET200S: ОПТИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС, ДО 12 МБИТ/С; 244/ 244 БАЙТ НА ВВОД/ ВЫВОД; ДО 63 МОДУЛЕЙ НА СТАНЦИЮ; RAM 24 КБАЙТ, PROFIBUS-DP, С ТЕРМ. ЭЛЕМЕНТОМ ВНУТР. ШИНЫ СТАНЦИИ. MMC НЕОБХ. ЗАКАЗЫВАТЬ ОТДЕЛЬНО	6ES71517AB000AB0
SIMATIC DP, ИНТЕРФЕЙСНЫЙ МОДУЛЬ СО ВСТРОЕННЫМ ЦПУ ПОВЫШЕННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ IM151-7 F CPU ДЛЯ ET200S, 128 KB РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ВСТРОЕННЫЙ ИНТЕРФЕЙС IPROFIBUS DP, (9-ПОЛЮСНАЯ РОЗЕТКА SUB-D), DP-SLAVE, БЕЗБАТАРЕЙНАЯ РАБОТА	6ES71517FA200AB0
SIMATIC DP, МОДУЛЬ ЦПУ IM151-8 PN/DP CPU ДЛЯ ET200S, 192 КБ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ВСТР. ИНТЕРФЕЙС PROFINET (С ТРЕМЯ ПОРТАМИ RJ45), КАК IO-КОНТРОЛЛЕР, БЕЗ БАТАРЕИ, НЕОБХОДИМА MMC	6ES71518AB010AB0
SIMATIC DP, МОДУЛЬ ЦПУ IM151-8F PN/DP CPU ДЛЯ ET200S, 256 КБ РАБОЧЕЙ ПАМЯТИ, ВСТР. ИНТЕРФЕЙС PROFINET (С ТРЕМЯ ПОРТАМИ RJ45), КАК IO-КОНТРОЛЛЕР, БЕЗ БАТАРЕИ, НЕОБХОДИМА MMC	6ES71518FB010AB0
10 ЛИСТОВ ФОРМАТА DIN A4: БЕЛЫЙ ЦВЕТ, 60 ЭТИКЕТОК ДЛЯ МОДУЛЕЙ ВВОДА-ВЫВОДА И 20 ЭТИКЕТОК ДЛЯ ИНТЕРФЕЙСНЫХ МОДУЛЕЙ; ПЕРФОРИРОВАННЫЙ ПЛАСТИК; МАРКИРОВКА НА ЛАЗЕРНОМ ПРИНТЕРЕ ИЛИ ПЛОТТЕРЕ, УПАКОВКА ИЗ 10 ЛИСТОВ	6ES71934BA000AA0
МАРКИРОВОЧНЫЕ ЛИСТЫ БЕЖЕВОГО ЦВЕТА ДЛЯ ET 200 S COMPACT, DINA A4; ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПЕЧАТИ НА ЛАЗЕРНЫХ ПРИНТЕРАХ ИЛИ ПЛОТТЕРАХ, 10 ЛИСТОВ В УПАКОВКЕ	6ES71934BA100AA0
10 ЛИСТОВ ФОРМАТА DIN A4: ЖЕЛТЫЙ ЦВЕТ, 60 ЭТИКЕТОК ДЛЯ МОДУЛЕЙ ВВОДА-ВЫВОДА И 20 ЭТИКЕТОК ДЛЯ ИНТЕРФЕЙСНЫХ МОДУЛЕЙ; ПЕРФОРИРОВАННЫЙ ПЛАСТИК; МАРКИРОВКА НА ЛАЗЕРНОМ ПРИНТЕРЕ ИЛИ ПЛОТТЕРЕ, УПАКОВКА ИЗ 10 ЛИСТОВ	6ES71934BB000AA0
МАРКИРОВОЧНЫЕ ЛИСТЫ ЖЕЛТОГО ЦВЕТА ДЛЯ ET 200 S COMPACT, DINA A4; ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ПЕЧАТИ НА ЛАЗЕРНЫХ ПРИНТЕРАХ ИЛИ ПЛОТТЕРАХ, 10 ЛИСТОВ В УПАКОВКЕ	6ES71934BB100AA0
10 ЛИСТОВ ФОРМАТА DIN A4: КРАСНЫЙ ЦВЕТ, 60 ЭТИКЕТОК ДЛЯ МОДУЛЕЙ ВВОДА-ВЫВОДА И 20 ЭТИКЕТОК ДЛЯ ИНТЕРФЕЙСНЫХ МОДУЛЕЙ; ПЕРФОРИРОВАННЫЙ ПЛАСТИК; МАРКИРОВКА НА ЛАЗЕРНОМ ПРИНТЕРЕ ИЛИ ПЛОТТЕРЕ, УПАКОВКА ИЗ 10 ЛИСТОВ	6ES71934BD000AA0
МАРКИРОВОЧНЫЕ Л